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元件参数资料
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参数目录38901
> SI5857DU-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
型号:
SI5857DU-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI5857DU-T1-E3 PDF
产品目录绘图
DU, DP-T1-E3 8-PowerPAK, P-PAK
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
58 毫欧 @ 3.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
480pF @ 10V
功率 - 最大
10.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
PowerPAK? CHIPFET? 双
供应商设备封装
PowerPAK? ChipFet 双
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SI5857DU-T1-E3CT
查看SI5857DU-T1-E3代理商
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